首 页
学术站点
知识要闻
国际动态
人 物
研招资料
会议中心
学术指南
课 件
知 识 库
所有栏目
学术站点
知识要闻
国际动态
人物
研招资料
会议中心
学术指南
课件
知识库
所有学科
哲学
经济学
法学
教育学
文学
历史学
理学
工学
农学
医学
军事学
管理学
旅游学
文化学
特色库
标题
作者
关键词
摘要
正文
单位
网址
任意词
工学
>>>
电子科学与技术
>>>
电子技术
>>>
仿真技术
>>>
搜索结果:
1-1
共查到
“
仿真技术 SiC MOSFET
”
相关记录1条 . 查询时间(0.109 秒)
1.2kV
S
iC MOSFET
器件URS应力退化机理研究
碳化硅
功率MOSFET
非钳位重复应力
退化
2017/1/4
本文首次研究了1.2kV碳化硅(
Si
l
ico
n Carbide,
SiC
)
MOSFET
在非钳位重复应力(Unclamped Rep
et
it
ive
St
re
ss
,URS)应力下的退化现象,并通过软件仿真和电荷泵测试技术对该现象进行了深入的分析.研究结果表明:URS应力会使得器件积累区由于碰撞电离产生大量的电子空穴对,其中的热空穴将在电场的作用下注入到氧化层中,使氧化层中出现许多空间正电荷,这些空间正电...
存档文本
存档附件
原文地址
文献传递
中国研究生教育排行榜
-
条
正在加载...
中国学术期刊排行榜
-
条
正在加载...
世界大学科研机构排行榜
-
条
正在加载...
中国大学排行榜
-
条
正在加载...
人 物
-
篇
正在加载...
课 件
-
篇
正在加载...
视听资料
-
篇
正在加载...
知识库
-
篇
正在加载...
研招资料
-
篇
正在加载...
知识要闻
-
篇
正在加载...
国际动态
-
篇
正在加载...
会议中心
-
篇
正在加载...
学术指南
-
篇
正在加载...
学术站点
-
篇
正在加载...