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近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。课题组联合北京航空航天大学赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司，基于8吋CMOS先导工艺研发线，自主研发原子层级磁性薄膜沉积、深紫外曝光、原子层级隧道结刻蚀以及金属互连等关键工艺模块，在国内首次实现了晶圆级亚百纳米STT-MRAM存储器件制备，器件隧穿磁电阻比（TMR）达到100%以上...