搜索结果: 1-8 共查到“工学 RF MEMS”相关记录8条 . 查询时间(0.125 秒)
研究人员制备成功RF MEMS振荡器（图）
研究人员 制备 RF MEMS振荡器
2014/1/8
中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心，在自然科学基金、中科院项目的支持下，经过努力探索，制备成功RF MEMS振荡器。
RF MEMS电容式开关结构层释放技术
RF MEMS 电容式开关 聚酰亚胺 释放
2014/4/23
研究了RF MEMS开关的制造工艺流程和聚酰亚胺牺牲层的去除工艺。在开关的设计和加工中采用在信号线两侧的地线上生长一层绝缘介质层，直流偏置线生成在绝缘介质层之上，与桥的锚点相连接，实现了交直流隔离。讨论了干法刻蚀和湿法刻蚀牺牲层技术。干法刻蚀容易造成绝缘介质层的刻蚀和损伤。采用湿法刻蚀结合临界点干燥技术，可以获得理想的微梁结构。通过测试，开关样品的下拉电压为34-40V，下拉距离为1.7μm±0....
LEHIGH大学黄正民教授来微系统所做RF MEMS专题演讲（图）
LEHIGH大学教授 RF MEMS专题 演讲
2011/11/14
2010年5月19日上午，LEHIGH大学黄正民教授访问微系统所射频与能源微系统技术实验室，并作了主题为Enabling Technology for Cognitive and Software-Defined Radios的演讲。演讲大会由田彤研究员主持，五室和一室的二十多名学生和职工参加了本次讲座。
适用于RF MEMS能量耦合传输的高Q值电感
微电感 MEMS 能量耦合 电镀
2014/5/14
利用MEMS微电镀工艺技术制作了一种新型的适用于RF MEMS能量耦合传输的高Q值电感，采用ANSOFT公司的HFSS优化平面螺旋电感的结构。在具有高电阻率的玻璃衬底上溅射0.5um的铜层作为下电极；PECVD淀积厚度为1umSiO2 作为中间介质层；在介质层上结合厚胶光刻技术电镀厚为22um的铜作为电感线圈。这套电感制作工艺流程简单、易于与IC制备工艺集成。本文制备的微机械电感在微型植入系统中具...
一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关
RF MEMS 开关 单刀多掷 接触式
2014/5/14
本文设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷（SP4T）RF MEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅（SiON）作为桥膜的双端固定桥式结构，并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导，1个输入端，4个输出端，4个静电驱动的侧拉桥，以及4个驱动引出区（pad）。测试数据表明，开关驱动电压18.8V；插入损耗S21<0.26dB@DC-3GHz，S31...
串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究
射频 微电子机械系统 串联电容式RF MEMS开关 串联电容式 内应力
2014/5/14
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲，从而提高所设计的开关的隔离度，克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同，解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段(<10GHz)的问题。其插入损耗为-0.88dB...
宽带直接接触式RF MEMS开关
射频微机电开关 直接接触式 宽带 宽驱动电压
2014/5/14
本文提出一种静电驱动直接接触式宽带MEMS开关，包含CPW传输线、双U型金属悬臂梁、触点和锚区，兼顾了开关接触可靠、克服微结构粘连和低驱动电压三大结构可靠性设计因素。本开关为三端口开关，使用低温表面微机械工艺，制作在400μm厚的高阻硅衬底上，芯片尺寸0.8mm×0.9mm。样品在片测试结果表明，在6GHz频点，开关本征损耗0.1dB，隔离度24.8dB，等效开关接触电阻0.6Ω，关态电容6.4f...