搜索结果: 1-15 共查到“工学 SOI”相关记录57条 . 查询时间(0.062 秒)
上海微系统所在八英寸SOI/铌酸锂异质集成技术方面取得重要进展（图）
铌酸锂异质 集成 电光调制
2024/3/16
2024年3月13日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅基材料与集成器件实验室蔡艳研究员、欧欣研究员联合团队，在通讯波段硅基铌酸锂异质集成电光调制器方面取得了重要进展。团队成员利用上海微技术工业研究院标准180 nm硅光工艺在八英寸 SOI上制备了硅光芯片，然后基于“离子刀”异质集成技术（图1），通过直接键合的方式将铌酸锂与SOI晶圆实现异质集成，并通过干法刻蚀技术实现了硅光芯片波导与LN电光...
本发明涉及辐射环境探测技术领域，涉及一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法。该探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块；所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连；所述恒流源模块与探头模块相连；所述数据采集模块的输入端与探头模块相连，数据采集模块的输出端与PC机相连；所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器。本发明实现了星用PMOS剂...
本发明涉及一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法，该方法采用基于商用SOI材料和加固SOI材料制作的晶体管作为试验样品；对基于商用材料和加固材料的试验样品开展相同条件下的总剂量辐照试验，提取辐射在氧化物埋层中引入的氧化物陷阱电荷密度；对加固材料制作的晶体管，开展热载流子注入试验，提取热载流子应力在氧化物埋层中引入的电子陷阱电荷密度；基于以上三种陷阱电荷密度，获得加固材料氧化物埋层的电子陷...
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所 专利 非对称 后退阱 背栅 SOI器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所专利：金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 金属源漏 SOI MOS晶体管
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法
2016年9月9日至10日，SOI产业国际盛会——“2016上海FD-SOI高峰论坛”和“2016国际RF-SOI研讨会”在上海瑞金洲际酒店隆重召开。来自国际顶级半导体公司、科研院所、投资机构和政府部门的近300位业内精英齐聚上海，展示一年来SOI领域的技术创新和重大突破，研讨FD-SOI和RF-SOI在全球物联网、5G连接、汽车电子、人工智能等领域的重要产品应用，展望了SOI技术在集成电路特征尺...
SOI压阻传感器的阳极键合结合面检测
绝缘体上硅(SOI) 压阻传感器 芯片 封装质量 视觉检测 阳极键合
2016/7/28
由于当前绝缘体上硅（SOI）压阻传感器芯片的封装质量仍依赖人工检测，本文提出了一种自动实现该项检测的视觉检测方法。分析了压阻传感器的工作原理， 研究了芯片定位精度和结合面质量对传感器性能的影响。以传感器性能和质量为导向，提出了一种以中心定位偏差和键合面结合度为检测点的封装结合面检测方法。该方法通过对Hough圆检测效果和实际图像的分析完成定位精度的检测；基于对传感器质量影响因素的分析和气泡面积的统...
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性
栅控 绝缘体上硅 光电探测器 光学特性
2016/7/15
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器，是一种以SOI技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础，综合SOI器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程，介绍和分析了器件结构及其工作原理，建立电压、电流物理模型。应用SILVACO器件仿真软件，完成器件的数值模拟与验证。在中短波长工作段，器件光电流随栅极电压的增大而增大，表现出明显的栅压控制特性。全耗尽状态下，器件的内部量...
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性
栅控 绝缘体上硅 光电探测器 光学特性
2016/5/31
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器，是一种以SOI技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础，综合SOI器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程，介绍和分析了器件结构及其工作原理，建立电压、电流物理模型。应用SILVACO器件仿真软件，完成器件的数值模拟与验证。在中短波长工作段，器件光电流随栅极电压的增大而增大，表现出明显的栅压控制特性。全耗尽状态下，器件的内部量...
条形和脊型SOI波导微环结构传感性能研究
条形和脊型波导 微环谐振腔 生物传感器 横截面
2016/8/5
使用时域有限差分(FDTD)方法研究了基于SOI微环谐振腔结构的条形和脊型波导,探究了微环谐振腔应用于生物传感的理论。分析了结构的几何尺寸对生物传感器灵敏度的影响。通过分析条形和脊型波导的模场分布图,解释了条形波导的灵敏度明显高于脊型波导的原因,且随着波导宽度的增加其灵敏度系数的变化遵循相同的趋势。并且,当条形波导取得最高的灵敏度系数时,其横截面是方形的,然而脊型波导的最大灵敏度值对应的却是不完全...
目前压阻式压力传感器灵敏度优化仿真计算仅基于压阻条整体性几何分布，在相关参数的优化上存在局限性，且在模型及计算等方面有一定误差。本文提出一种专门用于SOI压力传感器，通过精确分析敏感栅的栅数、栅长以及其坐标分布的最佳组合参数，结合不同量程芯体膜厚的计算，达到传感器灵敏度优化的方法。基于Microsoft Visual C++平台以及有限元、数值分析等接口技术，采用参数化建模，有限元分析仿真，数值后...
上海微系统所举办客座教授聘请仪式暨SOI光电集成学术报告会
张峰博士 硅光子 三维光子 学术报告会
2012/3/15
为落实中科院“创新2020”战略，推进所“一三五”规划中SOI技术的突破发展，王曦院士邀请英国Rockley Group公司董事长Andrew Rickman博士和美国普渡大学祁明浩教授2012年2月6日访问上海微系统所开展学术交流并举行客座研究员聘请仪式，所党委副书记俞跃辉主持了仪式和学术报告会。
上海微系统与信息技术研究所举办“新微技术论坛”第一期——SOI应用研讨会
新微技术论坛 SOI应用研讨会
2011/12/23
2011年11月30日，SOI应用研讨会——暨“新微技术论坛”之“重大突破”系列讨论在微系统所举行，来自学术界、产业界、行业协会以及投资界的近百名专家学者参会，共同探讨SOI技术应用现状及前景。