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搜索结果: 1-15 共查到工学 CVD相关记录55条 . 查询时间(0.079 秒)
中国科学院上海硅酸盐研究所专利:一种CVD生长石墨烯用铜膜催化剂及其应用。
中国科学院金属研究所专利:气体外循环型热丝 CVD 金刚石膜生长装置
通过热丝化学气相沉积(HFCVD)法制备了具有球状晶结构、棱锥形晶结构和棱柱形晶结构等3种不同表面特征的化学气相沉积(CVD)金刚石涂层工具,以提高其研磨效率。通过正交实验法研究了金刚石涂层晶粒形态、载荷、工作台转速、研磨时间等4个工艺参数对蓝宝石材料去除率和表面粗糙度的影响。结果表明:金刚石涂层的晶粒形态对材料去除率和表面粗糙度影响较大;球状晶结构金刚石涂层切向力较小,棱柱形晶结构金刚石涂层切向...
中国科学院宁波材料技术与工程研究所“功能碳素材料团队”以实现金刚石精密工具的国产化和产业化为目标,最近在CVD(Chemical-Vapor-Deposition:化学气相沉积)单晶金刚石合成方面取得了突破性进展。团队从国产微波等离子体CVD设备设计改造着手,开发了高密度、高稳定性的金刚石沉积装置。与国外设备相比,成本降至百分之三十。团队自主开发了金刚石的生长工艺,即对籽晶进行特殊的处理,同时制备...
中国科学院宁波材料技术与工程研究所“功能碳素材料团队”以实现金刚石精密工具的国产化和产业化为目标,最近在CVD(Chemical-Vapor-Deposition:化学气相沉积)单晶金刚石合成方面取得了突破性进展。团队从国产微波等离子体CVD设备设计改造着手,开发了高密度、高稳定性的金刚石沉积装置。与国外设备相比,成本降至百分之三十。团队自主开发了金刚石的生长工艺,即对籽晶进行特殊的处理,同时制备...
采用激光拉曼光谱仪和扫描电子显微镜对以C2H2+H2 和C2H2+C3H8+Ar为反应气体,通过直流加热化学气相沉积工艺在SiC纤维表面制备的碳涂层的微观结构断口形貌进行了研究。结果表明,两种碳涂层的拉曼光谱中1350,1400~1500和1600cm-1附近均观察到D,D”和G特征峰的存在。碳涂层具有类似石墨的片层结构,结构中微晶的排列显示出一定的无序性,并含有少量非晶态碳。随着沉积温度的升高,...
采用化学气相沉积技术(CVD),在乙炔气氛、500℃条件下制备了碳/高活性铝复合材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对复合材料的物相、形貌、组成进行了表征。结果表明,碳/高活性铝复合材料具有特殊的核壳结构及良好的耐水能力。
采用激光拉曼光谱对单根CVD-SiC纤维进行了研究,并与SiCf/Ti-6Al-4V复合材料中SiC纤维的拉曼光谱进行对比分析。发现SiC纤维的第一沉积层的TO峰峰形尖锐,表明SiC晶粒较大,第二沉积层的晶粒较小,在二个沉积层中分别检测到碳和硅的拉曼峰。在复合材料中,SiC纤维的TO峰向高波数偏移,表明复合材料在制备过程中,因SiC与基体钛合金的热膨胀系数不同而使纤维受到热残余压应力的作用。通过计...
采用激光拉曼光谱对单根CVD-SiC纤维进行了研究,并与SiCf/Ti-6Al-4V复合材料中SiC纤维的拉曼光谱进行对比分析。发现SiC纤维的第一沉积层的TO峰峰形尖锐,表明SiC晶粒较大,第二沉积层的晶粒较小,在二个沉积层中分别检测到碳和硅的拉曼峰。在复合材料中,SiC纤维的TO峰向高波数偏移,表明复合材料在制备过程中,因SiC与基体钛合金的热膨胀系数不同而使纤维受到热残余压应力的作用。通过计...
Purpose: The goal of this work is to compare the macro-stresses as well as mechanical and functional properties of the PVD and CVD coatings deposited on oxide and nitride ceramics tool. Design/method...
Purpose: The aim of the research was the investigation of the corrosion resistance and structure of the TiN, TiN+multiTiAlSiN+TiN, TiN+TiAlSiN+TiN, TiN+TiAlSiN+AlSiTiN coatings deposited by PVD proce...
CVD外延自掺杂效应的分析研究       反向补偿  CVD       2009/8/31
本文首先对自掺杂机理进行了分析。并采用反向补偿原理,吸附-解吸、滞流层静态-动态转换等,对工艺进行优化,在通常条件下有效地控制了自掺杂。
本文分析了硅CVD外延生长中金属杂质沾污、吸附-解吸机理模型和微缺分布规律,提出了用反向补偿原理优化外延工艺,有效地解决了硅外延层的金属杂质和微缺陷。
以针刺整体毡为预制体制备C/SiC复合材料,在材料表面制备CVD SiC涂层,研究涂层试样氧化前、后的微观结构和室温弯曲性能。研究结果表明:CVD SiC涂层由球形颗粒熔聚体、裸露裂纹和附着裂纹组成,于1 400 ℃氧化时附着裂纹发生愈合;C/SiC试样的弯曲强度为119.9 MPa,涂层试样及其分别经1 000,1 200和1 400 ℃连续氧化5 h后,弯曲强度分别为188.5,41.0,60...

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